| 种类 | 元素半导体 | 特性 | 高纯单晶硅 |
| 用途 | 用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件 |
zui新研发出依托悬浮区熔技术的区熔单晶硅，高纯含量。
区熔炉fz-30晶体生长设备设计生长直径达4”，长度达2000mm的单晶硅。
区熔炉的主要规格：
上、下轴提拉速度 0~30毫米/分
上、下轴转速 0~30转/分
上行程 2000毫米
下行程 2600毫米
发生器频率 2.5mhz
发生器功率120kw
发生器功率控制通过可控硅整流器控制 0~
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