PN8044芯朋微DIP8非隔离开关电源芯片18V300MA

pn8044，18v 300ma dip8 非隔离电源芯片，集成pfm控制器及650v高雪崩能力智能功率mosfet，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，pn8044内置650v高压启动模块。

pn8044产品特征：内置650v高雪崩能力智能功率mosfet.内置高压启动电路.优化适用于18v输出非隔离应用.pn8044半封闭式稳态输出功率5.4w@230vac　。pn8046半封闭式稳态输出功率9w@230vac，改善emi的降频调制技术，好的负载调整率和工作效率，过载保护（olp）过温保护（otp）欠压保护（uvlo）。

1.高压启动：在启动阶段，pn8044高性能ac-dc电源芯片内部高压启动管提供3ma电流对外部vdd电容进行充电；当vdd电压达到vddon，芯片开始工作，高压启动管停止对vdd电容充电。启动过程结束后，输出通过隔离二极管对vdd电容提供能量，供芯片继续工作。

2.恒压工作模式：芯片通过vdd管脚对输出进行电压采样，vdd电压经过内部分压电阻分压得到采样电压vrf。当vrf低于内部基准电压vref，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流ipeak，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。

3.pfm调制：芯片工作在pfm模式，同时内部设置ipeak随芯片工作频率fsw降低而降低，芯片开关周期每增大1us，ipeak降低约6ma。由于芯片内置采样，ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感感量是唯一调制工作频率的参数。建议电感量为0.8~1.6mh,如果感量过小，系统带载能力会偏小，如果感量过大，容易造成电感饱和，影响可靠性。

4.软启动：为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度ccm模式，带来较大电流尖峰，pn8044设置软启动功能，通过限制toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的leb时间（300ns）,以降低leb时间内能量大小，避免系统启动时的高电流尖峰。

5.智能保护功能：pn8044高性能ac-dc电源芯片集成全面的保护功能，包括：过温保护、vdd欠压保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。过温保护------当芯片结温超过150℃，芯片进入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于120度，芯片重新启动。vdd欠压保护 ------ 当芯片 vdd电压低于vddoff，芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过vdd电容调整，vdd电容越大，自恢复时间越长。

pn8044非隔离ac-dc电源芯片降压电路，采用buck拓扑结构，常见于小家电控制板电源以及工业控制电源供电，其典型电路规格包含5v/0.5a、12v/0.5a和24v/0.5a等，满足六级能效要求。