区熔高阻本征硅片

-6寸本征高阻不掺杂抛光硅片参数规格

生长方式：  区熔 fz

    晶向： 111/100

    电阻：800-5000Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制）

    厚度：300-5000μm（厚度范围可选、也可按照客户需要订制）

 平整度tir：<3μm

 弯曲度bow: <15μm

翘曲度ttv: <15μm

粗糙度nm : <0.5nm

库存现有厚度：需订制

盒装硅片 :25片装(镀铝箔真空包装)

上述概括了此产品参数，对产品有其它厚度或者参数要求请与本公司详谈！

 主要用途有：
1、用于同步辐射实验样品载体；
2、用于磁控溅射生长样品；
3、用于x射线分析晶体等。