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pid（potentianinduceddegradation）是一种电势诱导衰减现象，是指组件长期在高电压下使得玻璃，封装材料之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池表面。使得电池表面的钝化效果恶化，导致填充因子（ff），短路电流（isc），开路电压（voc）降低，使得组件的性能低于设计标准，发电能力也随之下降。2010年，nrel和solon证实了无论组件采取何种技术的p型晶硅电池，组件在负偏压下都有pid的风险。

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