晶体硅-位错密度测试-其他检测检测报告-百检网

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1 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中iii、v族杂质含量的测试方法 gb/t24581-2009 iii-v族杂质含量

2 单晶硅Ⅲ－Ⅴ级杂质的低温ft－ir分析测试方法semi mf1630-1107 iii-v族杂质含量

3 硅片参考面结晶学取向 x射线测试方法 gb/t13388-2009 主参考面晶向

4 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法gb/t5252-2006 位错密度

5 锗单晶和锗单晶片 gb/t 5238-20194.6 单晶方片边长

6 锗单晶和锗单晶片 gb/t 5238-20194.6 厚度及总厚度变化

7 硅单晶抛光片 gb/t 12964-20185.5 参考面位置

8 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 gb/t13387-2009 参考面长度

9 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质gb/t 24582-2009 基体金属杂质含量

10 高分辨率辉光放电质谱法测量太阳能电池硅材料中痕量元素的方法 semiv1-0709 基体金属杂质含量

11 硅多晶真空区熔基硼检验方法 gb/t4060-2018 基硼电阻率

12 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 gb/t4059-2018 基磷电阻率

13 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 gb/t14142-2017 外延层位错

14 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法gb/t 14847-2010 外延层厚度

15 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 gb/t14142-2017 外延层堆垛层错密度