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显影芯片图案的暴露区域，显示下面的氧化物延迟

未暴露的部分保留下来

因为它保护了之后的氧化物层，暴露的氧化物层在用等离子体显影的区域中被蚀刻掉。此工艺中的蚀刻，将特殊气体与待在反应室中移除的基材结合，这使得可以在窗口中移除微观层。

在上一步中曝光和显影的区域，一旦光致抗蚀剂残留物被剥离，晶片被清洁后，它将经历进一步的氧化。

集成电路（IC）芯片在封装工序之后，必须要经过严格地检测才能保证产品的质量，芯片外观检测是一项必不可少的重要环节，它直接影响到 IC 产品的质量及后续生产环节的顺利进行。外观检测的方法有三种：一是传统的手工检测方法，主要靠目测，手工分检，可靠性不高，检测效率较低，劳动强度大，检测缺陷有疏漏，无法适应大批量生产制造；二是基于激光测量技术的检测方法，该方法对设备的硬件要求较高，成本相应较高，设备故障率高，维护较为困难；三是基于机器视觉的检测方法，这种方法由于检测系统硬件易于集成和实现、检测速度快、检测精度高，而且使用维护较为简便，因此，在芯片外观检测领域的应用也越来越普遍，是 IC 芯片外观检测的一种发展趋势。

通过掩模曝光，添加剥离接触孔以允许导电层的接触和互连能够集成到晶片中，这是通过在晶片和专用机器上沉积各种金属合金来实现的，这提高了微芯片的效率。

第四步：平滑精整

在掩模上施加光刻胶，使得未暴露的跳闸在蚀刻工艺之后保持原样，这为底层提供了一个接触点，使绝缘层具有光滑的表面。

这需要一种化学机械工艺，用于以微米精度抛光多余的材料。