MTS位移传感器380009

霍耳式位移传感器：它的测量原理是保持霍耳元件（见半导体磁敏元件）的激励电流不变，并使其在一个梯度均匀的磁场中移动，则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大，灵敏度越高；梯度变化越均匀，霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统：a系统的线性范围窄，位移z=0时，霍耳电势≠0；b系统当z<2毫米时具有良好的线性，z=0时，霍耳电势=0；c系统的灵敏度高，测量范围小于1毫米。图2中n、s分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长，因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。
481865a2f-dz02a2  
-i 
pf-ca-09 
9701vwstmene
y71100-kxx 
y71320-kxx
l-3-m5
e82ev113k4c
e82zbc 
skkt162/16e
481865a2f  dz02a2 
有刹车的sgmgh-30ac6c加sgdm-30ada   
mvh-5-1/4-s-b 
mvh-5-1/8-b  
 
h2l40r900-ctb020na    
ha80nc-ss 
zkb-5hbn-c
mhmd042g1u+mbdh2510  
c36tr1ua2100  
2sy5012-0lb15
lm-pc-200 
 
gt1030-hwdw现在用gt1030-lbd代替
ast3501-t1-d24   
bbd-c  
f940-got-bwd-c
e82ev302-4c040  
hf-kn73j-s100
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14.f4.s1e-4000 
k12-150-20
mts位移传感器rhm0300mp10-1-s1g1100
gt1150-qbbd-c
2341nakbjnm
ats22d75q
frn0.4e1s-2j 
e82ev371-2c
emb9342-e 
frn15vg7s-4ud   
frn3.7vg7s-4
s  zc2-je62   
smh-1p
4818653df-dz023
ph30n
vb-2221
frn15g1s-4c 
frn15f1s-4c
p3hpa12as2ad1a 
p2lbx512esnddb49
mds-a-svj-0
ss40e2-h3-12.5
an10-a03  
e82-zaf-ac-010 
sm2100-r02-l2-a04-d01-e-t-en 
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p2d8v32c5 
ns5-t停产了，用ns5-t代替
aj65b2-16dr 
p8100-1-1-1-1-0-2-0-0
p8100-1-2-1-1-0-2-0-0 
n2300-y1211-10-s140 
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pwn-1000  
bfk458-20n
frn45f1s-4c