供应NANYA/南亚全新原装NT5CC256M16ER-EKDDR3存储芯片DRAM

基础ddr3兼容

—8n预取架构

-差分时钟(ck/)和数据频闪(dqs/)

- dqs, dqs和dm的双数据率

数据完整性

—采用dram内置ts自动刷新asr (auto self refresh)功能

—自动刷新和自刷新两种方式

*省电模式

-下电模式

cas延迟(6/7/8/9/10/11/13/14)

cas写时延(5/6/7/8/9/10)

附加延迟(0/cl-1/cl-2)

写入恢复时间(5/6/7/8/10/12/14/16)

◇爆发型(序贯/交错)

▼爆发长度(bl8/bc4/bc4或8)

可编程功能

自我刷新温度范围(正常/扩展)

输出驱动器阻抗(34/40)

rtt_nom模上终止(20/30/40/60/120)

rtt_wr压模终止(60/120)

【预充电电源下降】(慢/快)

信号完整性

—可配置ds，实现系统兼容性

-可配置模上终止

- zq校准ds/odt阻抗精度通过

外置zq垫(240欧姆±1%)

信号同步

—通过mr设置写入“调平

—通过mpr读取找平

*接口和电源

- sstl_15用于ddr3:vdd/vddq=1.5v(±0.075v)

——sstl_1352

ddr3l: vdd / vddq = 1.35 v (-0.067 / + 0.1 v)