金刚石基氮化铝薄膜

金刚石基氮化铝：

　　@高质量

　　@高热导率

　　@表面粗糙度小于1nm

　　@晶体质量好

　　@可定制化

化合积电自主研发生产的金刚石基氮化铝(ainon diamond)，是采用pvd磁控溅射技术沉积生长氮化铝，氮化铝作为金刚石与氮化镓的缓冲层，具有均匀性好，可简化外延生长步骤，降低成本，减小异质衬底与外延层的晶格失配性等独特优势，为实现高质量gan/algan材料的外延生长制备提供保障。通常用于uv-led领域，也适用于电子设备和基础研究。

 化合积电pvd-aln 模板与 mocvd 和 hvpe 生长模板相比具有多个优势，包括：

其通过改善aln 生长步骤提高产量；

与 mocvd 或 hvpe 生长的 aln 相比，成本更低，有利于规模化量产；

可提供高达 200 mm厚度（可根据要求提供其他厚度）。