PR1 2000A1光刻胶 北京赛米莱德公司

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正胶pr1-2000a1技术资料

正胶pr1-2000a1是为曝光波长为365或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。pr1-2000a1可以满足对附着能力较高的要求，pr12000a1光刻胶公司，在使用pr1-2000a1时一般不需要增粘剂，如hmds。

相对于其他的光刻胶，pr1-2000a1有如下的一些额外的优势：

peb，不需要后烘的步骤；

较高的分别率；

快速显影；

较强的线宽控制；

蚀刻后去胶效果好；

在室温下有效期长达2年。

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（wafer clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，pr12000a1光刻胶多少钱，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flowsystems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例goldfingermach2清洗系统）、美国ssec公司的双面檫洗技术（例m3304 dss清洗系统）、日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf /o3为基础的硅片化学清洗技术。

光刻胶介绍

光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体材料，随后被改进运用到pcb板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中的工艺。

以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

光刻技术随着ic集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以极限分辨率，pr12000a1光刻胶，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、krf（248nm）、arf（193nm）、f2（157nm），以及达到euv(<13.5nm)线水平。

目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g线、i线、krf、arf四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。krf和arf光刻胶技术基本被日本和美国企业所垄断。

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