IMBF170R1K0M1英飞凌IGBT Infineon 深圳原厂原装现货 当天可发

代理英飞凌coolsic™ 1700vsic沟槽mosfet采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该sic沟槽式mosfet具有12v/0v栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。

此外，coolsic 1700v sic沟槽式mosfet可以直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提高效率。

英飞凌coolsic 1700v sic沟槽式mosfet非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。

特性：

革命性的半导体材料——碳化硅

优化用于反激式拓扑结构

12v/0v栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器

非常低的切换损失

基准栅极阈值电压，vgs(th)=4.5v

完全可控制的dv/dt，用于emi优化

降低系统复杂性

直接从反激式控制器驱动

提高效率和降低冷却工作量

实现更高频率

应用：

能量生成

太阳能电池组列逆变器和太阳能优化器

基础设施–充电

充电器

工业电源

工业ups

工业smps

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