氮化镓氮化硅涡流法方阻电阻率测试仪

供应商
九域半导体科技(苏州)有限公司
认证
全国服务热线
13739170031
联系人
张占武
所在地
苏州市相城区太平街道聚金路28号8号楼2楼205室(注册地址)
更新时间
2024-05-04 09:00

详细介绍

参数

方阻

电阻率(厚度180um)

方法

探头量程

1-600Ω/¨

0.018-10.8 Ω∙cm

涡流法

探头性能

动态重复性

静态重复性

示值误差

1-80Ω/¨(0.018 - 1.44Ω∙cm) < 0.2%

<0.01%

±1%

80-120Ω/¨(1.44 - 2.16Ω∙cm) < 0.3%

120-300Ω/¨(2.16 - 5.4Ω∙cm) < 0.5%

300-600Ω/¨(5.4 - 10.8Ω∙cm)< 1%

外形尺寸

上探头Ф20*145mm 

下探头Ф20*50mm

信号采集

采样率:大1500sps

采样个数:大512点/单次

采样缓存:8级数据记录缓存

数据传输:rs232 rs485cantcp/ip

传输协议:modbus rtu/ modbus tcp 用户自定义协议等

供电电源

24v/1a

非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪,方阻测试仪,硅片电阻率测试仪,涡流法高低电阻率分析仪,晶锭电阻率分析仪,涡流法电阻率探头和pn探头测试仪,迁移率(霍尔)测试仪,少子寿命测试仪,晶圆、硅片厚度测试仪,表面光电压仪jpv\spv、汞cv、ecv。为碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。

 

晶圆,涡流法、方阻,电阻率,硅片

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