JCP-450磁控溅射镀膜机

该设备具有多靶磁控溅射功能，标配2只4inch磁控靶，预留1对蒸发电极，能够溅射蒸发两用；溅射靶采用波纹管结构，方便调整角度；溅射靶中频电源溅射取代传统直流溅射，改善靶的电弧放电及“中毒”现象。该设备主要用来开发纳米级单层及多层的导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性材料等，基片台加负偏压可实现基片反溅清洗功能。

技术参数

真空腔室：φ450 mm×h400mm

真空系统：复合分子泵+直联旋片泵,气动真空阀门，“两低一高”数显复合真空计

真空极限：优于8.0×10-5pa

抽速：从大气抽至6.0×10-3pa≤15min

可镀膜尺寸：3英寸1片，散片若干

基片加热与旋转：衬底加热：室温～600℃，自动测温，pid控温；基片旋转：0-20转/分钟，可调可控

溅射靶规格：4英寸，标配2只，另预留1对蒸发电极（中频溅射+射频溅射）

膜厚不均匀性：≤±5%

控制方式：手动按钮控制

报警及保护：对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施

占地面积：长×宽2200×1400mm