onMMBF170LT1G

编号：863-mmbf170lt1g

制造商编号：mmbf170lt1g

制造商：onsemi

说明：mosfet 60v 500ma n 沟道

onsemi

产品种类: mosfet

rohs: 详细信息

技术: si

安装风格: smd/smt

封装 / 箱体: sot-23-3

晶体管极性: n-channel

通道数量: 1 channel

vds-漏源极击穿电压: 60 v

id-连续漏极电流: 500 ma

rds on-漏源导通电阻: 5 ohms

vgs - 栅极-源极电压: - 20 v, + 20 v

vgs th-栅源极阈值电压: 800 mv

qg-栅极电荷: -

小工作温度: - 55 c

大工作温度: + 150 c

pd-功率耗散: 225 mw

通道模式: enhancement

封装: reel

封装: cut tape

封装: mousereel

商标: onsemi

配置: single

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品: mosfet small signal

产品类型: mosfet

系列: mmbf170l

3000

子类别: mosfets

晶体管类型: 1 n-channel

类型: mosfet

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg