st意法STD140N6F7

该n-沟道功率mosfet利用stripfet?f7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。

制造商编号：std140n6f7

制造商：stmicroelectronics

说明：mosfet lgs lv mosfet

制造商: 意法半导体

产品种类: mosfet

rohs： 详细信息

技术: si

安装风格: 贴片/贴片

封装 / 箱体: to-252-3

晶体管极性: n通道

通道数量: 1个频道

vds-漏源极击穿电压: 60伏

id-连续漏极电流: 80 安

rds on-漏源导通电阻: 3.1 毫欧

vgs - 栅极-源极电压: - 20 伏，+ 20 伏

vgs th-栅源极阈值电压: 2伏

qg-栅极电荷: 55 纳克

小工作温度: - 55 摄氏度

大工作温度: + 175 摄氏度

pd-功率耗散: 134 瓦。

通道模式: 增强

商标名: stripfet

封装: 卷轴

封装: 剪胶带

封装: 鼠标卷轴

商标: 意法半导体

配置: 单身的

下降时间: 20 纳秒

产品类型: mosfet

上升时间: 68 纳秒

系列: std140n6f7

2500

子类别: mosfet

晶体管类型: 1 n 通道

典型关闭延迟时间: 39 纳秒

典型接通延迟时间: 24 纳秒

单位重量: 330 毫克