G8.5代液晶面板TFT生产线用ITO靶材

 降低ito薄膜电阻率的新沉积方法——hdap法，是利用高密度的电弧等离子体（hdap）放电轰击ito靶材，使ito材料蒸发，沉积到基体材料上形成ito薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ito粒子中的in、sn达到完全离化，从而增强沉积时的反应活性，达到减少晶体结构缺陷，降低电阻率的目的。利用同样成分的ito材料，其它工艺条件保持一样，并在同样的基片温度下，分别进行“dc磁控溅射”、“dc+rf磁控溅射”、“hdap法制备ito薄膜”的实验。实验结果可以看出，利用hdap法能获得电阻率较低的ito薄膜，尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ito薄膜时，使用hdap法制备ito薄膜可以得到较理想的ito薄膜。基片温度到350℃左右时，这三种沉积方法对ito薄膜电阻率的影响较小。