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碳基集成电路可能会成为一个重要的发展趋势。技术创新。与以往相比，当前硅基cmos技术面临着许多前所未有的重大挑战。从28nm向22nm，甚至更小特征尺寸过渡时，平面mosfet被立体的finfet所替代。

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