aos万代公司AOZ8S401US405
- 供应商
- 深圳市合通泰电子有限公司
- 认证
- 报价
- ¥0.15元每个
- 联系电话
- 0755-82965240
- 手机号
- 18145855552
- 联系人
- 刘先生
- 所在地
- 深圳市宝安区西乡街道共和工业路华丰互联网创意园A503
- 更新时间
- 2021-01-25 15:00
栅极从0v充电到对应电流米勒平台时总充入电荷(实际电流不同,这个平台高度不同,电流越大,平台越高,这个值越大)。这个阶段是给充电也相当于,输入电容。整个米勒平台的总充电电荷(在这称为米勒电荷)。这个过程给这个电容随着电压不同迅速变化充电。在开关过冲中,aos主要发热区间是粗红色标注的阶段。从vgs开始超过阈值电压,到米勒平台结束是主要发热区间。其中米勒平台结束后aosmos基本完全打开这时损耗是基本导通损耗mos内阻越低损耗越低。阈值电压前,aosmos没有打开,几乎没损耗只有漏电流引起的一点损耗。其中又以红色拐弯地方损耗大,充电将近结束,快到米勒平台和刚进入米勒平台这个过程发热功率大更粗线表示。所以一定充电电流下,红色标注区间总电荷小的管子会很快度过,这样发热区间时间就短,总发热量就低。不过不同厂家标的内阻是有不同测试条件的。测试条件不同,内阻测量值会不一样。同一管子,温度越高内阻越大(这是硅半导体材料在aosmos制造工艺的特性,改变不了,能稍改善)。所以大电流测试内阻会增大(大电流下结温会显著升高),小电流或脉冲电流测试,内阻降低因为结温没有大幅升高,没热积累。
展开全文