峨嵋半导体材料研究所
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基本资料
简介
变更记录
知识产权
法人名称
峨嵋半导体材料研究所
主营产品
半导体硅材料 , 高纯金属材料 , 化合物半导体材料 , 试制研究
经营范围
半导体材料、高(超)纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询;经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
营业执照
9151118162110104XB
核准日期
2016-01-25 00:00:00
经营期限
十年
经营状态
在业
法人代表
叶李强
成立时间
1999年10月10日
职员人数
未公开
注册资本
7000万 (万元)
官方网站
未提供
所属分类
工程和技术研究与试验发展黄页
股东
股东名字
出资比例
出资额
中国东方电气集团有限公司
7000
峨嵋半导体材料研究所,办公室地址位于四川省重要工业城市乐山,峨眉山市符北路88号,我单位主要提供半导体材料、高纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询;经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。,
工商变更记录
法定代表人变更
肖毅
袁万彬
2020-09-25
联络员备案
吕启宁 备案手机: (网上办理)
王路平 备案手机:
2020-05-06
联络员备案
吕启宁 备案手机: (网上办理)
吕启宁 备案手机:
2020-05-06
法定代表人变更
袁万彬
李景阳
2020-03-31
章程备案
2018-06-19
无
2018-07-17
法定代表人变更
李景阳
谢三太
2017-12-07
联络员备案
王路平 备案手机:1354682
王路平 备案手机:1354682
2017-09-01
主管部门变动备案
中国东方电气集团有限公司 出资 7000万人民币;
中国东方电气集团有限公司 出资 5000万人民币;
2017-09-01
经营范围变更
半导体材料、高(超)纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询;经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
半导体材料、高(超)纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询;经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
2017-09-01
法定代表人变更
谢三太
叶李强
2017-09-01
章程备案
章程备案
-
2016-01-25
章程备案
章程备案
2016-01-25
负责人变更
姓名:叶李强,证件类型:居民身份证,证件号码:*****
姓名:王小强,证件类型:居民身份证,证件号码:*****
2015-12-08
联络人员备案
姓名:王路平;证件类型:中华人民共和国居民身份证;证件号码:*****;联络人联系电话:135****4682;联络人移动电话:135****4682;联络人电子邮件:emlswlp@.QQ.com;
姓名:王路平;证件类型:;证件号码:*****;联络人联系电话:135****4682;联络人移动电话:135****4682;联络人电子邮件:;
2015-12-08
法定代表人变更
姓名:叶李强,证件类型:居民身份证,
姓名:王小强,证件类型:居民身份证,
2015-12-08
联络人员备案
姓名:王路平; 证件类型:中华人民共和国居民身份证; 证件号码:; 联络人联系电话:1354682; 联络人移动电话:1354682; 联络人电子邮件:emlswlp@.QQ.com;
姓名:王路平; 证件类型:; 证件号码:; 联络人联系电话:1354682; 联络人移动电话:1354682; 联络人电子邮件:;
2015-12-08
负责人变更
姓名:叶李强,证件类型:居民身份证,
姓名:王小强,证件类型:居民身份证,
2015-12-08
注册资本变更
注册资本(金):7000万元( + 40% )
注册资本(金):5000万元
2015-09-21
注册资本变更
注册资本(金):7000万元
注册资本(金):5000万元
2015-09-21
注册资本变更
注册资本(金):5000
注册资本(金):2300
2014-09-30
出资额变更
投资方名称:中国东方电气集团有限公司;出资额:5000
投资方名称:中国东方电气集团有限公司;出资额:2300
2014-09-30
注册资本金变更
注册资本(金):5000( + 117.3913% )
注册资本(金):2300
2014-09-30
注册资本金变更万元
注册资本(金):5000( + 117.3913% )
注册资本(金):2300
2014-09-30
注册资本金变更
注册资本(金):5000( + 117.3913% )
注册资本(金):2300
2014-09-29
注册资本金变更万元
注册资本(金):5000( + 117.3913% )
注册资本(金):2300
2014-09-29
注册资本变更
注册资本(金):5000
注册资本(金):2300
2014-09-29
出资额变更
投资方名称:中国东方电气集团有限公司;出资额:5000
投资方名称:中国东方电气集团有限公司;出资额:2300
2014-09-29
其他事项备案
投资者名称(姓名):中国东方电气集团有限公司
投资者名称(姓名):峨嵋半导体材料研究所
2013-12-23
投资者名称变更
投资者名称(姓名):中国东方电气集团有限公司
投资者名称(姓名):峨嵋半导体材料研究所
2013-12-23
主管部门变动备案
一般经营项目:半导体材料 [新增] 高(超)纯金属及其化合物 [新增] 机械设备的研究 [新增] 试制 [新增] 销售 [新增] 技术咨询;经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备 [新增] 零配件 [新增] 原材料及进口业务。 [新增]
一般经营项目:高(超)纯金属 [退出] 半导体材料及化合物的研究 [退出] 试制。 [退出]
2013-10-11
经营范围变更
经营范围及方式:半导体材料、高(超)纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询;经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。
经营范围及方式:高(超)纯金属、半导体材料及化合物的研究、试制。
2013-10-11
一般经营项目变更
一般经营项目:半导体材料、高(超)纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询;经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。
一般经营项目:高(超)纯金属、半导体材料及化合物的研究、试制。
2013-10-11
法定代表人变更
王小强
吴贤富
2013-06-06
法定代表人变更
吴贤富
胡蕴成
2008-01-21
专利证书
CN101787559B
发明授权
2012-07-04
一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置
晶体生长
蒋娜;邓良平;程宇;朱铭;谢江帆
CN102992286A
发明公布
2013-03-27
高纯磷化锌的制备方法
无机化学
段榆忠;詹科;华鹏
CN201785199U
实用新型
2011-04-06
一种多晶硅氢气气氛下还原炉的电路
陈强;赵仕明;殷沛光;胡乐沙;翟贵林;雷建明
CN101928841B
发明授权
2011-10-26
一种超纯铅的区熔制备工艺
冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理
薛良忠;胡四立
CN102828204B
发明授权
2015-02-11
电解法制备电极用针状银的方法
詹科;种娜;陈国忠;杨卫东
CN101787559A
发明公布
2010-07-28
一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置
晶体生长
蒋娜;邓良平;程宇;朱铭;谢江帆
CN101845667A
发明公布
2010-09-29
一种高阻硅单晶的制备方法
晶体生长
蒋娜;邓良平;程宇
CN101928841A
发明公布
2010-12-29
一种超纯铅的区熔制备工艺
冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理
薛良忠;胡四立
CN101525764B
发明授权
2010-12-08
一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法
晶体生长
吴贤富;邓良平;丁国江;万金平;阮光玉;袁小武;徐杰;王洪亮;张学东
CN201785200U
实用新型
2011-04-06
多晶硅还原炉进料喷嘴
无机化学
王勃;邱健源;龙兴文;陈强
CN201694843U
实用新型
2011-01-05
一种黄磷氯化无水进料装置
无机化学
李晓铭
CN102899712B
发明授权
2015-03-04
超高纯砷单晶体片的制备方法
晶体生长
陈国忠;杨卫东
CN102992286B
发明授权
2014-08-06
高纯磷化锌的制备方法
无机化学
段榆忠;詹科;华鹏
CN101798704B
发明授权
2012-05-23
18英寸热场生长Φ8〞太阳能级直拉硅单晶工艺
晶体生长
谢江帆;吴雪霆;徐杰;张俊;常宏伟;陈军;陈家红;黄建平
CN101863475A
发明公布
2010-10-20
多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法
陈强;赵仕明;殷沛光;胡乐沙;翟贵林;雷建明
CN101863475B
发明授权
2012-05-23
多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法
陈强;赵仕明;殷沛光;胡乐沙;翟贵林;雷建明
CN104355304B
发明授权
2016-02-24
一种5N高纯碳粉制备工艺
无机化学
詹科;曹昌威;雷聪;种娜;杨旭
CN105060336A
发明公布
2015-11-18
硫化镉气相合成装置
无机化学
曹昌威;詹科;张程;种娜;杨旭;雷聪
CN104355304A
发明公布
2015-02-18
一种5N高纯碳粉制备工艺
无机化学
詹科;曹昌威;雷聪;种娜;杨旭
CN101798704A
发明公布
2010-08-11
18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺
晶体生长
谢江帆;吴雪霆;徐杰;张俊;常宏伟;陈军;陈家红;黄建平
联系电话
0833-5485303
联系人
未提供
手机号码
未提供
电子邮件
dqeban@163.com
邮政编码
614200
单位地址
峨眉山市符北路88号
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