芯片失效分析

芯片失效分析

    失效分析属于芯片反向工程开发范畴。芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分析实验室，配备了国外先进的等离子蚀刻机（rie）、光学显微镜、电子显微镜（sem）和聚焦离子束机（fib）等设备，满足各项失效分析服务的要求。
    公司拥有一套完善的失效分析流程及多种分析手段，全方位保证工程质量及项目文件的准确无误。
失效分析流程：
1、外观检查，识别crack，burnt mark等问题，拍照。
2、非破坏性分析：主要用xray查看内部结构，csam—查看是否存在delamination
3、进行电测。 
4、进行破坏性分析：即机械机械decap或化学decap等
常用分析手段： 
1、x-ray 无损侦测，可用于检测 
* ic封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性
* pcb制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接 
* 开路、短路或不正常连接的缺陷 
* 封装中的锡球完整性 
2、sat超声波探伤仪/扫描超声波显微镜 
    可对ic封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如﹕
    晶元面脱层
    锡球、晶元或填胶中的裂缝
    封装材料内部的气孔 
    各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞
3、sem扫描电镜/edx能量弥散x光仪
    可用于材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，测量元器件尺寸
4、三种常用漏电流路径分析手段：emmi微光显微镜/obirch镭射光束诱发阻抗值变化测试/lc 液晶热点侦测 
    emmi微光显微镜用于侦测esd,latch up, i/o leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的异常。
    obirch常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析.利用obirch方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。 
    lc可侦测因esd,eos应力破坏导致芯片失效的具体位置。
5、probe station 探针台/probing test探针测试，可用来直接观测ic内部信号
6、esd/latch-up静电放电/闩锁效用测试
7、fib做电路修改 
    fib聚焦离子束可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用fib工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势. 
    此外，公司技术团队还积累了诸如原子力显微镜afm ,二次离子质谱 sims,飞行时间质谱tof － sims ,透射电镜tem , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, x 光电子能谱xps ,l-i-v测试系统，能量损失 x 光微区分析系统等多种复杂分析手段。

服务项目：
     封装去除 
    利用先进的开盖设备和丰富的操作经验，能够安全去除各种类型的芯片封装，专业提供芯片开盖与取晶粒服务。