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VELAN威兰疏水阀故障排除

发布时间: 2024-11-06

为z轴单向磁场条件下z轴磁阻传感器感应磁场强度随非磁性转轮旋转角度的变化图。可以看出,在0°-360°旋转角度范围内,z轴磁阻传感器信号为周期变化且周期为72°。本实施例中选择在0°-360°范围内有5个第二软磁扇区4,跨度为72°,因此假设非磁性转轮旋转频率为f,则z轴磁阻传感器频率为5*f。


如图9所示,为磁阻传感器的白噪声频谱图。由于白噪声具有1/f特征,即在低频140时磁阻传感器噪声较大,而在高频150以上时磁阻传感器噪声大幅降低,因此通过引入非磁性转轮以及在其上设置4n个第一软磁扇区和m个第二软磁扇区,分别将测量磁场hx、hy和hz调制到4n*f和m*f频率,从而达到降低白噪声和提高信噪比的目的。


本发明实施例中,旋转碟式磁场强探头包括非磁性转轮、4n个第一软磁扇区、m个第二软磁扇区、参考信号发生器以及x轴、y轴和z轴磁阻传感器,第一软磁扇区和第二软磁扇区均位于非磁性转轮上,x轴、y轴和z轴磁阻传感器位于非磁性转轮的上方或下方位置处。工作时,非磁性转轮以频率f绕z轴旋转,外磁场经第一软磁扇区调制成频率为4n×f的敏感磁场分量hx和hy,外磁场还经第二软磁扇区调制成频率为m×f的敏感磁场分量hz,该三个敏感磁场分量hx、hy和hz分别经过该x轴、y轴和z轴磁阻传感器输出对应的测量信号,参考信号发生器输出频率为4n×f的第一参考信号和m×f的第二参考信号,第一参考信号、第二参考信号和测量信号经外部处理电路解调输出磁场值hx、hy和hz,以此对三维磁场信号的高信噪比进行测量。本发明实施例中,旋转蝶式磁场强探头将静止磁场调制成高频磁场,在高频磁场中进行测量,这样可以有效克服隧道磁阻(tmr)磁阻传感器直流漂移引起的噪声,消除直流offset的影响,大大降低tmr磁阻传感器使用的噪声。并且该测量结构制作方法简单,只要在磁阻传感器外加一个旋转软磁探头即可实现,降低了测量结构的复杂性和尺寸,该测量结构对于地磁场的监控及信噪比的提高具有使用价值。


示例性的,在上述技术方案的基础上,结合图1~图4所示可选非磁性转轮2具有4n个第一光入射孔10和m个第二光入射孔11,4n个第一光入射孔10的柱坐标分别为(r(r=re1),α(α=θ&θ+90°/n&θ+2×90°/n…&θ+(i-1)×90°/n…&θ+(4n-1)×90°/n),z[z0,z0+th1]),m个第二光入射孔11的柱坐标分别为(r(r=re2),α(α=θ1&θ1+360°/m&θ1+2×360°/m…&θ1+(i-1)×360°/m…&θ1+(m-1)×360°/m),z[z0,z0+th1]),其中,r1<re1,r1<re2;

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截止阀 w03-8076z-13ms


止回阀 w03-8036w-13ms


截止阀 w03-8076z-13ms


止回阀 w03-8036w-13ms


疏水阀 21/2" b09-5076z-58us


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截止阀 2”b08-2074b-06ty


截止阀 11/2”b07-2074b-06ty

参考信号发生器包括:第一发光元件161、第二发光元件162、第一光探测器14、第二光探测器15、第一逻辑触发电路和第二逻辑触发电路,第一发光元件161位于第一光入射孔10上方或者下方位置处,第二发光元件162位于第二光入射孔11上方或者下方位置处,第一光探测器14位于第一光入射孔10与第一发光元件161相对的另一侧位置处,第二光探测器15位于第二光入射孔11与第二发光元件162相对的另一侧位置处;


工作时,非磁性转轮2以频率f绕z轴旋转,当第一光入射孔10和第二光入射孔11依次正对第一发光元件161和第二发光元件162时,第一光探测器14触发第一逻辑触发电路输出频率4n×f的第一参考信号以及第二光探测器15触发第二逻辑触发电路输出频率m×f的第二参考信号。本实施例沿用上述附图和附图标记。


本实施例中,设定n=2,则8个第一光入射孔10贯穿非磁性转轮2的上下表面,分别为10(1)~10(8),原始状态下xy坐标第一象限内紧邻+x轴的一第一光入射孔10或者与+x轴交叠的一第一光入射孔10标记为10(1),剩余7个逆时针依次标记为10(2)~10(8),可以理解,随着非磁性转轮2的旋转,10(1)会旋转至不同位置。该8个第一光入射孔10的柱坐标分别为(r(r=re1),α(α=θ),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+45°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+90°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+135°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+180°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+225°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+270°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re1),α(α=θ+315°),z[z0,z0+th1])。


本实施例中,设定m=5,则5个第二光入射孔11贯穿非磁性转轮2的上下表面,分别为11(1)~11(5),原始状态下xy坐标第一象限内紧邻+x轴的一第二光入射孔11或者与+x轴交叠的一第二光入射孔11标记为11(1),剩余4个逆时针依次标记为11(2)~11(5),可以理解,随着非磁性转轮2的旋转,11(1)会旋转至不同位置。该5个第二光入射孔11的柱坐标分别为(r(r=re2),α(α=θ1),z[z0,z0+th1]),(r(r=re2),α(α=θ1+72°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re2),α(α=θ1+144°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re2),α(α=θ1+216°),z[z0,z0+th1]),(r(r=re2),α(α=θ1+288°),z[z0,z0+th1])。


本实施例中,参考信号发生器包括两个发光元件和两个光探测器,分别为第一发光元件161和第二发光元件162以及第一光探测器14和第二光探测器15,发光元件和光探测器分别位于非磁性转轮2的两侧,以便于光探测器通过光入射孔探测发光元件发出的光线。可选光探测器和磁阻传感器位于非磁性转轮2的同一侧。


如图2所示可选第一发光元件161位于第一光入射孔10上方位置处,第二发光元件162位于第二光入射孔11上方位置处,第一光探测器14位于第一光入射孔10下方位置处,第二光探测器15位于第二光入射孔11下方位置处。在其他实施例中,如图3所示还可选第一发光元件161位于第一光入射孔10下方位置处,第二发光元件162位于第二光入射孔11下方位置处,第一光探测器14位于第一光入射孔10上方位置处,第二光探测器15位于第二光入射孔11上方位置处。可选发光元件为led灯或其他任意一种适用的发光元件。可以理解,发光元件和光探测器的位置确定之后固定不变。


工作时,转轴12以频率f旋转以同步带动非磁性转轮2以频率f绕z轴旋转,则非磁性转轮2上的光入射孔的位置发生旋转。当第一光入射孔10和第二光入射孔11旋转至依次正对第一发光元件161和第二发光元件162时,位于第一光入射孔10下方的第一光探测器14可以探测到第一发光元件161发出的光线,则第一光探测器14触发第一逻辑触发电路输出频率4n×f的第一参考信号,位于第二光入射孔11下方的第二光探测器15可以探测到第二发光元件162发出的光线,则第二光探测器15触发第二逻辑触发电路输出频率m×f的第二参考信号。


可选第一参考信号和第二参考信号均为高电平或低电平信号;在第一光探测器探测到第一发光元件发出的光线之前,第一逻辑触发电路的电平保持不变,在第一光探测器探测到第一发光元件发出的光线之后,第一逻辑触发电路的电平发生转换;在第二光探测器探测到第二发光元件发出的光线之前,第二逻辑触发电路的电平保持不变,在第二光探测器探测到第二发光元件发出的光线之后,第二逻辑触发电路的电平发生转换。


可以理解,若非磁性转轮2旋转至第一发光元件161、第一光入射孔10与第一光探测器14面向设置的情况下,第一光探测器14可以探测到第一发光元件151的光线并触发第一逻辑触发电路,则第一逻辑触发电路切换输出的第一参考信号的电平;若非磁性转轮2旋转至第一发光元件161、第一光入射孔10与第一光探测器14交错的情况下,第一光探测器14无法探测到第一发光元件161的光线,则第一逻辑触发电路保持第一参考信号的电平不变。第二参考信号的切换过程与第一参考信号的切换过程完全相同,在此不再赘述。


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