中国半导体产业在创新中跃升

 我国半导体产业10年发展取得巨大成就：半导体产业规模从561.6亿元猛增到2814.31亿元，扩大4倍多；半导体产业产量从689.7亿只猛增到4303.9亿只，产量扩大5.24倍；集成电路产业规模从268.4亿元猛增到1572.2亿元，产业规模扩大4.86倍；集成电路产量从96.3亿只猛增到719.6亿只，产量扩大6.47倍。

       产业迅猛增长

       1.产业规模持续扩大
       我国半导体产业规模从2002年的561.6亿元猛增到2011年的2814.31亿元，扩大4倍多，年均增长率达19.61%，远高于同期年均增长8.75%的世界水平；在全球半导体产业中的比重也从2002年的4.81%上升到2011年的14.5%；占国内半导体市场份额从2002年的27%上升到2011年的30.2%；半导体产业的产量从2002年的689.7亿只猛增到2011年的4303.9亿只，产量扩大5.24倍，年均增长率达22.56%。其中：分立器件产量规模从2002年的593.39亿只猛增到2011年的3584.3亿只，产量扩大5.04倍，年均增长率达22.12%。集成电路产业规模从2002年的268.4亿元猛增到2011年的1572.2亿元，产业规模扩大4.86倍，年均增长率达21.70%，占国内集成电路市场份额从2002年的14.60%上升到2011年的19.49%。集成电路产量从2002年的96.3亿只猛增到2011年的719.6亿只，产量扩大6.47倍，年均增长率达25.04%。
      2.集成电路产业结构更加均衡合理
       从2002年到2011年，我国集成电路产业结构不断进行调整，设计、制造、封装测试三业协调均衡合理发展。
       设计业销售额从2002年的21.6亿元猛增到2011年的473.74亿元，扩大20.93倍，年均增长率达40.93%，占全行业份额也由8.05%上升为27.5%。我国集成电路设计业占全球集成电路设计业的比重提升至13.89%，已居三位。
       制造业销售额从2002年的33.5亿元猛增到2011年的486.9亿元，扩大13.51倍，年均增长率达34.61%，占全行业份额也由12.5%上升为30.97%。
       封装测试业销售额从2002年的213.25亿元增长到2011年的611.56亿元，扩大1.87倍，年均增长率达12.42%，占全行业份额也由79.5%的一头独大状态调整为38.9%。
      3.已成为世界大半导体市场
       2011年我国半导体市场规模达9238.8亿元，是2002年的4倍多，占国际市场份额从2002年的17.80%上升为47.75%，成为世界大的半导体市场。集成电路市场规模从2002年的1840.5亿元猛增到2011年的8065.6亿元，扩大3.38倍，年均增长率为17.84%，占国际集成电路市场份额从2002年的18.4%上升到2011年的50.5%。
       4.国际贸易迅速扩大
       我国半导体进出口总额从2002年的357.40亿美元猛增到2011年的2537.7亿美元，贸易规模扩大6.10倍，年均增长率24.33%；进出口数量从2002年的357.40亿只猛增到2011年的9345.7亿只。
      5.产业链各环节技术水平有很大提升
       建成运营的集成电路芯片生产线数量从2002年的18条发展到2011年的66条，大芯片加工尺寸从2002年的8英寸提升到2011年的12英寸。已建成12英寸生产线6条，8英寸生产线16条，6英寸生产线18条，5英寸生产线9条，4英寸生产线17条。
       从技术层面上看，芯片制造细线条已由2002年的0.18微米(主流为0.8微米～0.5微米)提升到2011年的90纳米工艺实现大规模量产，65纳米工艺成功投产，55纳米工艺产品开始流片，40/45纳米12英寸生产线具备量产条件。在特色工艺上，国内代工生产线已经能够生产数模混合、射频、bcd，vdmos、igbt等产品。
       芯片设计领域，设计企业已由2002年的367家发展到2011年的534家。在芯片设计水平上，2011年设计能力达到90纳米这一世界先进水平的企业达41家，设计能力在0.25微米以下的企业占比则已高达40%之多。td-scdma移动通信芯片、数字音视频和多媒体处理芯片、网络路由器芯片、数字电视机顶盒芯片、智能电表、北斗导航等产品已经实现量产。嵌入式移动终端cpu芯片、mcu芯片和安全芯片也取得较大进展。
       封装测试环节技术也不断得以提高，已由dip等中低端领域向sop等高端封装形式延伸，2011年高端封装工艺bga、倒装焊等技术已经实现大规模量产，前沿的三维封装技术、芯片级封装技术也已有开发和生产应用。
       在设备和材料环节，在国家02专项的支持下，产业链得到完善，2011年12英寸高密度离子刻蚀机、大角度离子注入机、45纳米清洗设备等重要技术装备已经应用于生产，使我国有能力在ic高端设备市场上参与国际竞争；同时，在材料方面，单晶硅、光刻胶、抛光液、高纯气体、靶材等材料技术已经取得突破。