应用材料与BE半导体扩大硅谷AI封装联合研发

美国应用材料公司（Applied Materials）与荷兰BE半导体工业公司（Besi）于10月2日宣布，将显著扩大双方在AI半导体封装技术领域的联合研发范围。Besi将作为创新合作伙伴加入应用材料公司正在建设的硅谷EPIC（设备与工艺创新及商业化）中心。此次合作将在现有混合键合项目基础上，延伸至芯片到芯片、芯片到封装以及面板级集成的下一代互连技术。

双方计划集中研发能力攻关下一代3D集成电路缩放及逻辑-存储集成技术，具体涵盖下一代晶圆到晶粒（die-to-wafer）混合键合平台、先进热压键合（TCB）技术、多形态晶粒堆叠集成平台，以及用于共封装光学（CPO）的光子互连技术。混合键合通过直接键合铜互连层与介质层替代传统凸点，可缩小芯片间距并提升数据传输速度与集成密度，已成为高性能AI半导体与3D堆叠半导体的关键封装方案。

两家公司自2020年起已在应用材料新加坡先进封装开发中心设立联合卓越中心（CoE），曾合作推出业界首款集成式晶圆到晶粒混合键合系统Kinex。该成果的核心在于将晶圆处理、晶粒放置、键合与检测优化为单一连续流程，而非单独开发各工序。此次EPIC中心合作延续此策略，Besi工程师将常驻现场与应用材料研究人员协同开发，旨在通过全流程优化加速技术投产。

随着AI加速器与高带宽内存（HBM）等多颗半导体集成至单一封装的趋势普及，芯片间互连密度与带宽需求迅速增长。应用材料公司指出，先进封装已不再仅是后端组装步骤，而是需要达到前端晶圆制造同等精度与洁净度的材料工程挑战。为此，应用材料公司计划在EPIC中心分阶段投资Zui高50亿美元，预计年内完成运营准备，将其作为缩短早期研发技术向实际生产转化周期的基地。

应用材料半导体产品集团总裁Prabu Raja表示，以一体化流程开发技术可缩短大规模量产时间。应用材料董事长兼CEO Gary Dickerson与Besi首席执行官Richard Blickman均强调，此次合作将帮助客户更早明确技术路线方向，并共同优化整个封装流程，以支撑下一代AI与光子系统的基础互联技术。