英特尔公布Micro LED玻璃基板封装技术专利

英特尔公开一项于2022年提交的专利，披露了一种将Micro LED直接集成至集成电路封装中的新架构。该设计将半导体芯片直接嵌入玻璃基板内，利用基板内的玻璃通孔（TGV）为芯片上的Micro LED供电，电源与信号再通过封装基板路由至主板。

据专利说明，这些Micro LED可采用纳米线结构发射红、绿、蓝（RGB）光。潜在应用场景包括DIY电子设备的个性化装饰、封装内部的电气测试指示灯，以及CPU表面的发光字标，兼具功能指示与外观美化作用。

在制造工艺方面，玻璃基板通过激光诱导刻蚀结合化学刻蚀形成通孔与芯片凹槽。随后采用铜电镀工艺制作TGV，再将搭载Micro LED的芯片嵌入凹槽中。氮化硅层将聚合物封装基板粘合在基板两侧，完成垂直方向的信号与电力互连。

专利还详细说明了结构变体，包括芯片的水平或垂直放置方式以及反射器的集成。英特尔长期布局玻璃基板技术，自2013年起便开始研究以玻璃替代有机基板，积累了大量知识产权，并于2023年首次展示玻璃基板样品。

其商业化进程近期显著加速。在NEPCON Japan展会上，英特尔展示了一款工程样品，采用厚玻璃芯结合嵌入式多Die互连桥（EMIB）技术，实现了约78×77毫米大面积封装的无裂纹切割。随后在ECTC 2026会议上，英特尔公布了玻璃芯基板的高量制造（HVM）技术验证，涵盖通孔制作、金属化、多层布线及光电集成等全流程能力，展示了缺陷控制的24层结构与翘曲控制。

生态合作同步扩展。Lens Technology与英特尔签署谅解备忘录（MOU），将TGV先进封装列为联合开发重点。根据协议，英特尔提供架构规格、可制造性设计（DFM）指南及验证方法，Lens Technology负责通孔制作、高精度激光加工、金属化沉积及多层互连布线。该公司已向北美和韩国一线客户交付了具备数百万通孔且非导通率为0 ppm的样品。

此外，英特尔与美国半导体技术公司3D Glass Solutions（3DGS）合作，推进位于印度的33亿美元玻璃基板制造厂建设。该规划工厂目标年产约7万片玻璃基板、5000万套组装单元及近1.3万个先进3D异构集成模块。项目旨在满足AI芯片与高性能计算（HPC）对高密度、大面积封装的需求，计划于2028至2030年间启动高量出货。