宁波秋水半导体发布全球首款8英寸红光Micro LED芯片

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宁波秋水半导体发布全球首款8英寸红光Micro LED芯片

宁波秋水半导体科技有限公司(QSSEMI)近日正式发布全球首款具备量产能力的8英寸红光Micro-LED芯片。该产品依托企业首创的无损Micro-LED工艺路线,首次在8英寸四元AlInGaP红光材料体系上完成混合键合全流程整合,在仅0.15立方厘米的体积内实现640×480分辨率红光显示。这一技术突破被视为增强现实(AR)眼镜从单色绿向全彩演进的关键节点,为产业链下游提供了可规模采购的光源器件基础。

无损混合键合工艺重构像素隔离逻辑

传统Micro-LED制造依赖物理台面蚀刻来划分像素,相当于用微观刀具切割发光晶体。随着像素尺寸缩小,蚀刻损伤会占据发光区更大比例,直接导致光效衰减、漏电流上升及稳定性下降。其中,红光AlInGaP材料对蚀刻极为敏感,常规工艺下高达97%的发光效率会被损耗,行业长期将红光视为全彩Micro-LED的“自然屏障”,其电光转换效率(WPE)常年徘徊在1%左右。秋水半导体彻底摒弃物理隔离,改用电气绝缘层在像素间构筑隐形壁垒,使电流垂直传导的同时实现像素电气隔离,从源头消除材料损伤。结合混合键合垂直堆叠架构,该方案实现了光子芯片与驱动芯片在3.75微米像素间距下的精细互联,且键合间距可缩放至2微米,与当前先进半导体混合键合工艺节点持平。

在核心性能指标上,该无损工艺路线带来显著跃升:像素良率突破6N(即99.9999%),发光视角由常规的±60°收窄至±10°,有效抑制像素串扰;工作温度范围从低于50℃扩展至140℃以上,全面覆盖车规级与消费电子严苛要求;Zui关键的红光通道WPE预计将超过20%。这一数量级的效率提升,直接打通了全彩Micro-LED大规模量产的技术堵点。对于光学模组厂而言,高良率与宽温域意味着下游组装环节的返修率将大幅降低,供应链端的测试筛选成本有望压缩。±10°的窄发散角设计更利于光线高效耦合进AR波导镜片,可减少光路中的能量损耗,间接降低整机背光模组的功率预算。

013红光光机与产能交付节奏

基于该芯片平台,秋水半导体同步推出013红光光机。该模块将640×480高分辨率图像压缩至0.15立方厘米,视场角覆盖20–30°,理论投影距离可聚焦至无穷远,并搭载成熟的高刷新率驱动背板电路。紧凑的物理尺寸与稳定的高频驱动特性,高度契合轻量化AR眼镜的结构设计需求,可直接应用于电子提词器、实时翻译设备、车载导航及全彩AR交互场景。值得注意的是,无损工艺使Micro-LED芯片能够无缝衔接半导体制程迭代,像素尺寸正从主流的4微米快速向2微米乃至亚微米迈进,未来同等屏幕面积下的像素密度将呈指数级增长。

在产能布局方面,秋水半导体于2026年上半年完成Pre-A轮与A轮融资,总额近2亿元人民币,由招银资本领投,同尚基金、盛誉投资、嘉谊资本、新兴技术基金及宁波人才发展基金跟投。资金将专项用于宁波基地8英寸混合键合量产线的建设,该产线计划于2026年10月正式投产。满产后月产能规划为1000片8英寸晶圆,折合年供应能力超1000万颗Micro-LED芯片。公司预计在产线运行当年即可启动红光芯片的批量出货,并加速推进基于三层混合键合堆叠的全彩单片式Micro-LED芯片样品验证与量产交付。

供应链视角与下游选型建议

从全球市场来看,2025年全球AI眼镜出货量达870万台,同比激增322%,但支持全彩显示的机型仍占极小份额。产业共识指出,AI眼镜要跨越商业化拐点,必须同时满足全彩显示与规模化降本两大条件。秋水半导体的8英寸产线落地,标志着红光Micro-LED正式进入晶圆级标准化生产阶段。对于国内光学引擎制造商与渠道商而言,需重点关注混合键合设备与倒装焊工艺的兼容性升级。传统COB(板上芯片)或SMD(表面贴装)封装产线需针对2微米级微缩像素调整回流焊曲线与固晶精度。此外,红光WPE突破20%后,散热模组的设计冗余度可适当下调,有助于整机重量控制在50克以内的消费级产品标准。下游客户在选型时,应优先评估供应商是否具备8英寸晶圆级测试分选能力,以及驱动IC与Micro-LED像素矩阵的时序匹配协议,以确保全彩融合引擎的色彩均匀性与功耗控制达到商用门槛。

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