SK海力士三星3D NAND改用钼替代钨，高纯钼需求上升

韩国SK海力士于6月11日宣布其375层3D NAND闪存技术实现商业化量产，关键变化在于字线（word line）材料由传统钨（tungsten）切换为钼（molybdenum）；此前，三星电子已于2024年在其第九代V-NAND金属化工艺中启用钼。这一材料替换并非实验室概念，而是已进入量产阶段的工艺升级，直接拉动对99.999%（5N）以上纯度钼粉、钼溅射靶材及超细钼丝等半导体级钼制品的需求。

钼在纳米尺度下展现出比钨更低的有效电阻率——当器件特征尺寸缩至30纳米以下时，钨的体电阻率显著上升，导致信号延迟加剧、功耗升高；而钼在相同条件下电阻率增幅更平缓，且可省去部分NAND结构中必需的钛/氮化钛阻挡层，释放约5–8%的单元空间，支撑更高堆叠层数。行业工程师指出，该优势在AI训练芯片配套的高带宽存储器（如HBM近存计算架构中的嵌入式NAND缓存）中尤为关键。目前，全球仅少数供应商能稳定供应符合SEMI F57标准（氧含量≤10 ppm、铁镍铜杂质总和≤5 ppm）的半导体级钼靶材，中国厂商JDC集团（金堆城钼业）是其中具备全链条能力的企业之一。

金堆城钼业（JDC Co.）6月23日股价升至31.61元人民币，创16年新高。该公司是国内唯一覆盖钼矿开采、选矿、冶炼、深加工及半导体级产品制造的全产业链企业，可批量生产高纯钼粉（粒径D50≤3.5μm）、旋转钼靶（直径≥600mm，密度≥10.2 g/cm³）及钼铼合金加热元件。但需注意：其半导体级产品尚未公开披露是否已通过SK海力士或三星的AEC-Q200车规级或JEDEC JESD22-A108F可靠性认证，客户送样验证周期通常需9–12个月，涉及晶圆厂制程兼容性测试、溅射均匀性（UI≤5%）、颗粒脱落率（≤0.1 particles/cm²）等硬指标。

半导体级钼材与钢铁用钼的本质差异

当前全球80%钼消费集中于钢铁领域，主要用于不锈钢、高强度管线钢及高温合金，对纯度要求为99.95%（3N5），杂质容忍度宽松；而半导体靶材要求5N–6N纯度，且需控制特定杂质（如硅、氧、碳）形态——氧以氧化钼夹杂形式存在会引发溅射过程异常放电，碳则影响薄膜应力。这意味着同一座钼矿产出的精矿，经不同工艺路线处理后，可能分别流向宝武钢铁的合金添加产线或中芯国际的晶圆厂供应链。中国内蒙古察右前旗、陕西金堆城矿区的钼精矿虽品位达45–55% MoS₂，但下游提纯环节仍依赖氯化蒸馏+氢还原两步法，该工艺能耗高、批次稳定性难控，国内仅2–3家厂商具备连续化5N钼粉量产能力。

采购与渠道商需核对的三项事实

• 确认供应商是否持有ISO 9001:2015+ISO 14001:2015双体系认证，且质量手册明确涵盖“半导体用高纯金属材料”范围（非仅标注“有色金属”）；
• 要求提供近3批次第三方检测报告（SGS或SGCC出具），重点核查氧含量（≤10 ppm）、总金属杂质（Fe+Ni+Cu≤5 ppm）及粒度分布D10/D50/D90数据；
• 核实其下游客户清单中是否包含至少1家已量产的NAND或DRAM制造商（非仅“送样中”或“技术交流”），避免陷入长周期验证却无订单落地的风险。

钨价剧烈波动加速了材料替代进程：2025年下半年至2026年一季度，中国65% WO₃钨精矿价格一度冲至102.5万元/吨，7月回落至49.5万元/吨。但历史数据显示，每当钨价单季度涨幅超40%，头部存储厂即启动钼替代可行性评估。值得注意的是，钼无法全面替代钨——后者3422℃熔点使其在航空发动机涡轮盘、核反应堆屏蔽层等高温场景。因此，本轮需求增长属结构性迁移，而非总量替代。

供应端短期仍偏紧：Fastmarkets数据显示，釜山港钼酸铵（MB级）价格6月维持在31.45美元/磅高位。但内蒙曹四夭钼矿（含钼金属108.9万吨）与安徽沙坪沟钼矿（探明储量210万吨）均已获批采矿权，设计产能合计超1.2万吨/年钼金属，预计2028年投产后将缓解供应压力。对中国外贸出口商而言，当前窗口期在于协助国内钼企完成SEMI标准认证文件本地化（如将ASTM B359-22测试方法转化为CNAS认可项），而非单纯压低报价——终端客户更愿为缩短6个月验证周期支付5–8%溢价。