Gaianixx获JST资助研发压电材料中间膜

日本科学技术振兴机构（JST）近日宣布，在2025年度研究成果Zui优展开支援计划（A-STEP）实施支援（还款型）项目中，正式向东京大学衍生初创企业株式会社Gaianixx提供开发支援。该公司将依托此项支持，独立研发面向次世代压电材料的高性能、低成本中间膜技术，力求在实现器件高性能化的同时兼顾成本控制，加速相关技术的普及与应用落地。

突破传统晶格失配瓶颈

近年来，随着医疗仪器、汽车传感器及民用电子产品等领域的快速扩张，压电传感器与致动器等压电器件市场呈现显著增长态势。市场对这类核心组件提出了更为严苛的要求：不仅要具备更高的性能指标和能量转换效率，还需大幅降低制造成本。为响应这一需求，无铅压电陶瓷及单晶压电体等先进材料的研发已成为行业焦点。

然而，传统外延生长技术在制造功能性薄膜时面临固有难题。当基板与功能薄膜的晶格尺寸差异较大时，极易在薄膜中产生应变、裂纹或晶格缺陷，这些缺陷会严重削弱器件的整体性能。Gaianixx提出的“多能性®中间膜”技术，通过精密控制物质状态变化来消除晶格尺寸差异，从而在基板上形成匹配的功能薄膜，有效解决了长期困扰半导体与电子器件制造的基板限制与晶格缺陷问题。

聚焦PZT单晶化量产技术

此次开发的核心目标，是确立用于实现压电材料单晶化的“多能性®中间膜”的量产技术。目前市场上广泛使用的多晶锆钛酸铅（PZT）虽应用普遍，但通过该技术将其转化为单晶结构，有望大幅提升器件性能。为确保产品化后的稳定供应，Gaianixx正致力于构建能够抑制量产质量波动、具备高重现性的稳定制造工艺体系。

该技术的潜在应用场景远不止于压电器件。在氮化镓（GaN-on-Si）或金刚石等次世代半导体材料领域，该技术同样可用于消除晶格尺寸差异，实现无缺陷的高质量单晶生长。通过Zui小化位错等晶体缺陷，可显著降低漏电流和电阻，进而大幅减少电力转换过程中的热损耗，加速功率半导体的社会普及。

JST A-STEP项目支持机制

JST的A-STEP实施支援（还款型）旨在通过贷款形式支持初创企业将大学等机构的科研成果转化为社会实际应用。该项目针对包括Gaianixx在内的初创企业提供Zui长3年的开发期，Zui高5亿日元的开发费支持（按季度预支），且无利息。若事后评价达到B级以上，企业需在开发结束后10年内偿还本金，其中前3年可享有还款宽限期。

株式会社Gaianixx成立于2021年10月，总部位于东京都文京区，由中尾健人担任代表取缔役社长，主要从事多能性®中间膜及外延相关的研究开发、制造与销售。该项目的推进不仅有助于提升日本在高端电子材料领域的自主创新能力，也为全球压电半导体产业链的技术迭代提供了新的解决方案。

对于中国半导体与新材料企业而言，这一案例凸显了基础材料创新对终端器件性能的关键作用。晶格匹配技术作为突破传统材料限制的核心手段，其量产稳定性直接决定了高端传感器及功率器件的竞争力。国内企业在布局第三代、第四代半导体时，应加强对界面工程与中间层技术的研发投入，以应对日益激烈的国际技术竞争。