博世第三代碳化硅芯片性能提升20 助力电动车降本增效

在电动汽车核心部件的技术竞赛中，全球汽车零部件巨头博世（Bosch）再度出手。博世近日宣布推出第三代碳化硅（SiC）功率芯片，并已向全球整车制造商启动送样，标志着这家总部位于斯图加特附近格林根的德国企业，在电动汽车功率半导体领域迈出关键一步。

碳化硅芯片是电动汽车电力电子系统的核心元器件，主要应用于逆变器（功率转换器）。逆变器承担着将电池侧直流电转换为驱动电机所需交流电的关键任务，其转换效率直接关系到整车续航表现。碳化硅材料相较于传统硅材料，具有更高耐压、更低导通损耗、更强耐热性等优势，因而成为当前电动化浪潮率半导体的主流技术路线。

博世移动业务董事会马库斯·海恩（Markus Heyn）表示："我们的下一代芯片性能提升20%，体积也比上一代显著缩小。这种小型化是提升成本效率的关键——同一片晶圆上可以生产更多芯片，这意味着我们在推动高性能电子器件普及方面发挥着举足轻重的作用。"海恩进一步强调，碳化硅半导体是电动出行的核心驱动力，掌控着能量流动并使其效率Zui大化，第三代产品的推出是博世系统性扩大该领域技术领先地位的重要举措，将助力客户推出性能更强、能效更高的电动车型。

从市场积累来看，博世自2021年推出代碳化硅芯片以来，迄今已向全球累计交付超过6000万颗碳化硅芯片，规模效应初步显现。为满足未来更大规模的生产需求，博世正积极扩充制造产能和洁净室设施。

第三代碳化硅芯片的生产基地位于德国罗伊特林根半导体工厂，采用先进的200毫米晶圆工艺。更大尺寸的晶圆意味着单批次可产出更多芯片，是摊薄成本、提升供应能力的重要技术手段。在资金层面，博世依托欧盟"欧洲共同利益重要项目"（IPCEI）微电子与通信技术专项资助计划，近年来在半导体领域累计投入约30亿欧元。

2023年9月，博世在美国加利福尼亚州罗斯维尔收购了第二座碳化硅芯片生产工厂，目前正紧锣密鼓地推进新生产设施的配套安装，计划投资约19亿欧元。该工厂预计Zui早于2026年开始生产并交付碳化硅芯片，初期以客户测试样品为主。海恩表示："未来，博世将从德国和美国这两座晶圆厂向客户供应创新型碳化硅芯片。"双厂布局的战略用意在于，为快速增长的汽车电动化市场构筑更具韧性、更加稳健的供应链体系。从中期目标来看，博世计划将碳化硅功率半导体的产能提升至每年数亿颗的中高区间。

值得关注的是，博世还与另两家欧洲半导体巨头英飞凌（Infineon）和恩智浦（NXP）各自出资，分别获得正在德国德累斯顿建设中的台积电（TSMC）芯片工厂10%的股权。该项目获得德国政府高达50亿欧元的补贴支持。不过，这座工厂的业务重心将落在传统硅半导体上，主要面向汽车微控制器、车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统（ADAS）以及物联网（IoT）连接等应用场景，与博世碳化硅业务形成差异化互补。