日本推出266nm与193nm新型半导体检测激光

日本奥克西德公司（oxide corporation）近日宣布，其面向半导体检测领域的深紫外（duv）激光系列将迎来重大升级，正式开启266nm高功率型号及全新193nm波长型号的接单业务。这一举措标志着日本在半导体上游核心检测设备光源技术上再次取得突破，将有力加速从晶圆到光掩模全链路检测的高灵敏度与高通量化进程。

作为日本山梨县深耕光电子领域的知名企业，奥克西德此次推出的“qcw kalama”系列激光产品，专为应对半导体器件微细化带来的检测挑战而设计。随着芯片制程不断向更小节点演进，传统检测手段在灵敏度与效率上已显捉襟见肘，行业对更高性能光源的需求日益迫切。奥克西德通过技术迭代，成功解决了这一痛点。

在备受关注的266nm高功率型号上，该产品实现了从传统3w到标准8w、zui大12w的功率飞跃。在保持原有设备尺寸不变的前提下，通过提升基波激光功率及采用公司独有的高品质clbo晶体，不仅显著提升了微细缺陷的检测能力，更大幅缩短了检测时间。该型号采用100mhz重复频率的准连续波皮秒脉冲技术，是提升半导体晶圆检测效率的关键利器。

与此同时，全新研发的193nm全固体深紫外皮秒激光器成为另一大亮点。这款激光器在50mhz重复频率下实现了超过0.2w的平均输出功率，成功以全固体结构复现了传统arf准分子激光器的波长特性。其应用范围不再局限于晶圆检测，更扩展至arf光刻用光掩模检测、医疗及光学元件检测等新兴领域，为半导体产业链提供了更广泛的解决方案。

奥克西德表示，凭借高光束质量及clbo晶体带来的卓越稳定性，新产品将完全满足半导体制造现场严苛的长期运行要求。据悉，相关技术成果将于2026年1月在美国旧金山举办的photonics west 2026展会上正式对外发布，届时将展示其在工业应用中的zui新进展。

对于中国半导体行业而言，日本企业在深紫外激光光源领域的持续深耕，特别是193nm全固体化技术的突破，显示出上游核心部件国产替代的紧迫性与技术方向。中国企业在推进半导体检测装备自主化进程中，应密切关注此类高功率、短波长光源的技术演进，探索在光刻掩模检测等关键环节的技术合作或差异化竞争策略。