微LED技术突破助力AI数据中心互联

全球光电巨头ams osram宣布，将其成熟的eviyos™微led技术成功升级，应用于新一代“慢速宽幅”（slow-and-wide）ai光互联架构，标志着该技术从汽车照明正式迈向ai基础设施核心领域。公司首席执行官aldo kamper表示，工业级微led阵列的量产经验，正被用于攻克ai服务器机架间及内部数据链路的高功耗瓶颈，这使公司在高增长的ai基建市场中占据了有利位置。

此次推出的微led阵列原型机采用了专有外延堆叠技术，展现出卓越的性能指标：截止频率超过1 ghz，且能耗低于2 pj/bit。这种高能效、高并行度的短距光io路径，直接针对现代ai计算架构中日益严峻的数据传输功耗问题，为突破算力瓶颈提供了关键硬件支撑。

eviyos™作为全球首款大规模量产的汽车微发射器阵列，拥有25,600个独立寻址像素，每个像素宽度仅为发丝的一半，并与cmos驱动芯片集成在紧凑封装中。这一独特的微led与cmos融合技术，不仅荣获德国未来奖“数字光”殊荣，更在量产车型中证明了其极高的可靠性。如今，这一核心底层技术正被复用，成为面向ai服务器和机架级通信的光互连组件基础。

在光互连应用中，其制造工艺与汽车矩阵发射器相似，但关键区别在于：数据中心应用采用单片切割的微led。这些微led从晶圆上切割下来并安装在基板上，每个器件可耦合至多通道光纤电缆中的独立光纤通道。得益于极小的 footprint，基于微led的收发器实现了极高的带宽密度，单通道数据速率可达≥3.0 gbit/s，在10米链路距离下能耗仍低于2 pj/bit，并满足行业低于10⁻¹⁵的误码率标准。

在ai基础设施中，用数百个并行通道替代单一超高速线路的“慢速宽幅”架构具有显著优势。首先是高可靠性，系统可包含冗余通道，实现故障时的优雅降级和快速更换；其次是高能效，相比互联网骨干网常用的超高频激光发射器，该架构大幅降低功耗和发热，为数据中心运营商节省宝贵的散热空间；zui后是架构简化，微led固有的并行特性消除了高速窄架构中复杂且昂贵的串并转换步骤。

随着eviyos™基础技术成功适配数据通信市场需求，ams osram正迅速从原型阶段过渡到产品开发阶段，全面对齐其于2026年2月5日公布的“数字光子”战略。对于中国光通信及ai硬件产业链而言，这一技术路径的成熟意味着在算力功耗日益敏感的当下，基于微led的并行光互联可能成为下一代数据中心架构的重要备选方案，值得国内相关企业在技术演进中密切关注并探索本土化应用潜力。