恩智浦发布332瓦GaN晶体管替代磁控管

荷兰半导体巨头恩智浦（nxp semiconductors）近日正式推出了一款面向射频（rf）能量市场的新型氮化镓（gan）功率晶体管，型号为mrf24g300hs。该产品基于gan-on-sic技术制造，能够在2.45ghz频段下提供高达332瓦的连续输出功率，其核心战略目标是取代传统微波炉及工业加热设备中广泛使用的磁控管。

恩智浦指出，虽然数年前已有面向该市场的半导体器件问世，但早期产品在效率上仍无法与磁控管抗衡。此次发布的mrf24g300hs实现了重大突破，其漏极效率达到73%，比zui新的ldmos晶体管高出5个百分点，成功打破了长期存在的效率壁垒。得益于对功率、频率及相位的控制，该器件能优化能量向加热材料或食品的传导，显著提升设备的控制性、可靠性和易用性。

在技术规格方面，该晶体管支持2.4ghz至2.5ghz频段，在2.45ghz工作时的增益为15.2db，漏源耐压高达+150v。由于gan功率晶体管具有输出阻抗高的特性，其阻抗匹配范围比ldmos更宽，这不仅缩短了设计周期，还确保了生产线上的性能一致性，彻底消除了对人工微调的依赖。目前，该产品已提供ni-780s-4l封装，并附带参考设计，工作温度范围覆盖-55℃至+150℃。

据悉，该产品目前处于样品出货阶段，预计将于2019年第三季度正式投入量产。尽管恩智浦未公布具体价格，但这一高性能器件的问世，标志着日本及全球射频加热市场正加速向固态化、智能化转型。对于中国家电及工业加热设备制造商而言，关注此类高效率固态器件的成熟度，将有助于在下一代智能加热产品的能效竞赛中抢占先机。