代理ST品牌，原装，STB120N4LF6 ，长期现货，

 

数据列表 stx120n4f6 产品相片 to-263 其它有关文件 stb120n4f6 view all specifications 产品培训模块 automotive grade transistors and discretes 特色产品 stripfet vi deepgate series power mosfets 标准包装   1,000 类别 分立半导体产品 家庭 fet - 单 系列 deepgate™， stripfet™ vi 包装   管件   fet 类型 mosfet n 通道，金属氧化物 fet 功能 逻辑电平门 漏源极电压 (vdss) 40v 电流 - 连续漏极 (id)（25°c 时） 80a （tc） 不同 id、vgs 时的 rds on（大值） 4 毫欧 @ 40a，10v 不同 id 时的 vgs(th)（大值） 4v @ 250µa 不同 vgs 时的栅极电荷 (qg) 65nc @ 10v 不同 vds 时的输入电容 (ciss) 3850pf @ 25v 功率 - 大值 110w 安装类型 表面贴装 封装/外壳 to-263-3，d²pak（2 引线+接片），to-263ab 供应商器件封装 d2pak 其它名称 497-10768-5