厂商直供高精度新型雪崩耐量测试仪

厂商直供高精度新型雪崩耐量测试仪

enx2020  雪崩耐量测试系统

概述

向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。

enx2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试igbt、mosfet、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出igbt、mosfet、、二极管的雪崩耐量。

西安易恩电气enx2020 雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、igbt、mosfet、二极管等功率型器件、igbt、mosfet、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。

规格/环境要求

电压频率：50hz±1hz

环境温度：15～40℃

工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。

温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。

大气压力： 86kpa～106kpa

海拔高度：不超过3000米。

尺   寸：800x800x1800mm

质   量：210kg

工作电压：ac220v±10%无严重谐波

系统功耗：320w

通信接口：usb rs232

技术指标

配置

测试范围

测试参数

条件

范围

电压

1000v

igbts

绝缘栅双极型晶体管

eas/单脉冲雪崩能量

vce

20v-4500v

20-100v±3%±1v

100-1000v±3%±5v

1000-4500v±3%±10v

电流

200a

mosfets

mos场效应管

ear/重复脉冲雪崩能量

ic

1ma-200a

1ma-100ma±3%±0.1ma

100ma-2a±3%±5ma

2a-200a±3%±50ma

diodes

二极管

ias/单脉冲雪崩电流

ea

1j-2000j

1j-100j±3%±1j

100j-500j±3%±5j

500j-2000j±3%±10j

pas/单脉冲雪崩功率

ic检测

50mv/a（取决于传感器）

感性负载

10mh、20mh、40mh、80mh、100mh

重复间隙时间

1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次