硅片清洗剂配方有效成分检测，技术转让

硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。

目前多采用传统的rca清洗方法，不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等，还可以去除小颗粒等污染物。

spm具有很高的金属氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用spm清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属，当沾污特别严重时，难以去除干净。

dhf（hf），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的al、fe、zn、ni等金属，也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时，硅片几乎不被腐蚀。

热态洗硅成膜剂，包括a剂和b剂，a剂包含强碱性催化剂5%~35%、无机溶剂65%~95%，显色剂微量，原料总和为100%；b剂包含分析纯磷酸三钠03%~3%、分析纯联氨0.05%~2%，与两种无机溶剂，其原料总和为100%；使用时由a剂和b剂按照体积比1:10的比例混合使用，混合后溶液比重为1.008g/ml~1.031g/ml。

日本索尼公司研制的hf/o3单片旋转式清洗法，可以有效去除硅表面的有机沾污、无机沾污、金属沾污等。此设备上有三路供液系统，可同时将hf酸、溶解油臭氧的超纯水、超纯水供应到硅片中心。在此过程中，首先将hf酸、溶解油臭氧的超纯水交替供应到硅片中心，每种试剂供应约10s交替一次，接着供应纯水进行冲洗。最后用旋转干燥法对硅片进行干燥，为避免旋转干燥法给硅片表面带来水迹，可以改用氮气吹。

有效成分是化学，生物学，药物学广泛应用的术语，指一种混合物中，对生物体代谢或者化学反应起作用的成分。

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