中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心成立于2009年4月，是中国科学院微电子研究所与嘉兴市人民政府共同组建的技术转移转化、研发、中试和高新技术产业孵化的创新平台机构，是嘉兴市编委批准设立的自收自支事业单位。工程中心位于浙江中科院应用技术研究院园区9号楼，转化有嘉兴科民电子设备技术有限公司，建立了3000余平方米的高标准研发和工艺试验基地，从事国际领先的IC、LED及光伏设备研发和制造，在美国设立全球研发中心，位于距离纽约曼哈顿30公里的新泽西州Millburn市。现有研发团队21人，其中博士生导师3人，中科院“百人计划”特聘研究员1人，博士学位6人，已联合培养博士后3人。    工程中心主要致力于原子层沉积、黑硅太阳能电池技术等的产业化应用转化工作，已成功研制出KE-320型高亮度LED图形化衬底刻蚀系统、KMT-200A&KMP-200B原子层沉积系统、ICP-98C型高密度等离子体刻蚀机、PIII-ICP08等离子体浸没式离子注入机、HQ-8B型等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）和SE-3型太阳能电池刻蚀机。已经研制产生的高端原子层沉积（ALD）及刻蚀设备除国内销售外，还远销美国和意大利等发达国家。